高Si掺杂RuO2材料的晶体结构、电子结构和导电性

• 作者: 周扬杰 唐中帜 唐电 李国荣 王启凡 王欣 邹翔达
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: 二氧化硅 二氧化钌 催化剂 计算机模拟 晶体结构 电子结构 导电性
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 材料化学工程与纳米技术
• 页码范围: 3717-3723
• 页数: 7页
• 分类号: TG146.7|O472+.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.11949/j.issn.0438-1157.20180070

摘要

通过密度泛函理论(density functional theory,DFT)的第一性原理,研究了高Si掺杂的(Ru1-xSix)O2(x=0、0.125、0.25、0.375、0.5)固溶体材料的晶体结构特征;对采用热分解制备的Si掺杂RuO2的相分析,证实了通过合适的热分解工艺,可以实现高浓度Si的代位掺杂;能带结构研究显示,高Si掺杂RuO2材料始终保持金属特性;态密度分析表明,Si可以提供少许Si-3p电子,但导电主体仍来自Ru-4d与O-2p电子;高Si掺杂(Ru1-xSix)O2的电导率随Si掺杂量的变化符合一阶指数衰减趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王欣	福州大学材料科学与工程学院	43	160	7.0	10.0
2	周扬杰	福州大学材料研究所	7	0	0.0	0.0
4	唐中帜	福州大学材料研究所	2	0	0.0	0.0
7	李国荣	福州大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
8	邹翔达	福州大学材料研究所	1	0	0.0	0.0
9	王启凡	福州大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0