高速弹载记录仪存储技术研究

• 作者: 刘廷辉 刘雪飞 尤文斌 崔敏 马铁华
• 来源期刊: 火炮发射与控制学报
• 关键词: 负延时 记录仪 高速存储 NAND Flash
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 应用研究
• 页码范围: 25-30
• 页数: 6页
• 分类号: TP73
• 语种: 中文
• DOI: 10.19323/j.issn.1673-6524.2016.02.006

摘要

针对弹载记录仪中NAND型Flash在负延时记录时写入速度低和可靠性差的问题，提出一种新型高速负延时存储方法。在研究NAND型Flash存储器存储介质访问原理的基础上，采用当前成熟的高速率流水线存储技术，设计了一种单通道双控制总线的高速存储结构，解决了当前具有负延时的弹载记录仪存储速度的瓶颈问题。以 SOPC技术为基础，将整个控制系统构建在单片 FPGA上提高可靠性。试验结果验证了该存储体系结构单通道写入速度可达最高理论值40 MB／s，负延时容量、存储总容量根据要求可设置。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尤文斌	中北大学电子测试技术国家重点实验室	74	351	10.0	15.0
5	马铁华	中北大学电子测试技术国家重点实验室	194	1323	17.0	27.0
9	刘雪飞	中北大学电子测试技术国家重点实验室	6	17	3.0	4.0
13	刘廷辉	中北大学机电工程学院	1	8	1.0	1.0