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摘要:
高密度等离子体(High Density Plasma,HDP)淀积工艺具有卓越的沟槽填充性能,广泛应用于深亚微米及更先进的集成电路制造的关键工艺环节.由于其淀积与溅射相结合的工艺特点,HDP中颗粒水平直接影响器件量产的良率与可靠性,是HDP工艺中的最大问题.针对集成电路量产工艺中频繁出现的HDP颗粒问题,通过分析HDP淀积颗粒成分,发现其中含有非反应气体成分氟(F)和铝(Al).利用等离子体中的氧离子修复工艺设备的腔室穹顶,降低由于预淀积薄膜黏附不足而造成剥离性颗粒;研发出氧气(O2)钝化工艺,应用于硅片淀积间隙的腔室原位清洗工艺;通过实验设计,分析和优化O2钝化的具体工艺条件.研究表明,将优化后的带有O2钝化的原位清洗工艺方案应用于集成电路实际量产制造,HDP工艺的颗粒水平整体降低50%.
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文献信息
篇名 高密度等离子体淀积工艺对颗粒度的影响
来源期刊 上海工程技术大学学报 学科 工学
关键词 高密度等离子体 化学气相淀积 淀积工艺 颗粒度
年,卷(期) 2016,(2) 所属期刊栏目 材料与生态化工
研究方向 页码范围 122-127
页数 6页 分类号 TM23
字数 4875字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李洪芹 上海工程技术大学电子电气工程学院 21 14 2.0 3.0
2 顾梅梅 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
高密度等离子体
化学气相淀积
淀积工艺
颗粒度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海工程技术大学学报
季刊
1009-444X
31-1598/T
16开
上海市松江大学城龙腾路333号
1987
chi
出版文献量(篇)
1693
总下载数(次)
1
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