氧化钽基RRAM的循环耐受特性优化研究

• 作者: 刘佩 林殷茵
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化钽 Ta2O5/TaOx 循环耐受特性 阻变存储器
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子学与通信科学
• 页码范围: 28-35
• 分类号: TN92
• 语种: 中文

摘要

阻变存储器(RRAM)因其性能优异、可高密度集成以及与CMOS工艺兼容成本较低等众多优点而被广泛研究.用于制备阻变型存储器的关键材料有很多种,其中氧化钽材料由于与标准CMOS工艺兼容而被各大研究机构广泛关注,但TaOx基RRAM存储阵列的可靠性仍存在很大问题,尤其是循环耐受特陛.本文制备了4种具有优秀阻变性能的双层Ta2 O5/TaOxRRAM器件,Ta2O层厚度分别为5nm和3nm,TaOx层的x值分别为1.0和0.7.比较了这4种拥有不同器件参数的氧化钽基RRAM器件的循环耐受性能,给出了TaOx基RRAM的循环耐受性能优化方法,发现双层TaOxRRAM的富氧Ta2O5层的厚度越薄且缺氧TaOx层的缺氧程度越大,其循环耐受性能越好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
2	刘佩	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	9	49	5.0	6.0