碱性条件下CMP参数对铝栅表面粗糙度的影响

• 作者: 冯翠月 刘玉岭 张文倩
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铝栅 碱性抛光液 化学机械平坦化(CMP) 粗糙度 抛光工艺
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 54-59
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.01.010

摘要

铝栅化学机械平坦化(CMP)是实现高k介质/金属栅结构的关键技术,决定了芯片上器件性能的完整性、可靠性.针对铝的特性,以质量传递和温度传递理论作为依据,采用控制化学作用与机械作用相平衡的平坦化技术路线,研究碱性条件下铝栅化学机械抛光工艺参数对铝栅表面粗糙度的影响,以此确定铝栅粗抛过程的工艺参数.实验结果表明铝栅粗抛过程所需最优化工艺参数为:抛光头转速50 r/min,抛光液流量150 mL/min,抛光时间180 s,抛光机下压力3.0 psi(1 psi =6 895 Pa),此时原子力显微镜观察到的铝表面状态最好,表面粗糙度为2.08 nm,达到了较好的抛光效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
2	张文倩	河北工业大学电子信息工程学院	11	36	3.0	5.0
3	冯翠月	河北工业大学电子信息工程学院	4	8	2.0	2.0