Bi再掺杂对Mg2Si0.985Bi0.015热电材料性能的影响

• 作者: 王一峰 王玉龙 闻俊夫
• 来源期刊: 南京工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 地球科学
• 关键词: Mg2Si Bi再掺杂 热电性能
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 33-38
• 页数: 6页
• 分类号: N34
• 字数: 4698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7627.2016.04.007

摘要

本文考察Bi再掺杂对Mg2Si0.985Bi0.015基体的组成、微观结构以及电子输运与热导率等方面的影响.采用X线衍射仪(XRD)和电子能谱(EDS)等对样品进行表征分析.结果表明:再掺杂的Bi除部分进入Mg2Si0.985Bi0.015基体外,其余在晶界处生成Mg3Bi2.由于Mg2Si中Bi量的提高使得载流子浓度增加,进而增大样品的电导率,而塞贝克系数受载流子浓度变化和杂相的影响甚微.热导率则因Bi量增加和杂相的存在略有降低.在873 K时,2％Bi再掺杂样品的最高热电优值(ZT)为0.78,比未再掺杂样品提升约10％,说明Bi再掺杂对Mg2Si基体材料热电性能有→定提升作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闻俊夫	南京工业大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
2	王玉龙	南京工业大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
3	王一峰	南京工业大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0