共沉淀法制备Ce掺杂的Gd3(Al,Ga)5O12粉体

• 作者: 张烨 江浩川 秦海明 罗朝华 蒋俊 陈先强
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: Gd3(Al,Ga)5O12陶瓷 共沉淀 煅烧 无机闪烁体
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1151-1156
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160075

摘要

通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水,共沉淀生成Ce掺杂的Gd3(Al,Ga)5O12(GAGG)前驱体,并采用TG/DTA对GAGG前驱体进行表征.分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1 100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理,采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征,结果显示制备出纯相的GAGG粉体.采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察.GAGG粉体的荧光谱图显示在560 nm处有一个很强的发射峰.在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋俊	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	13	34	3.0	5.0
2	罗朝华	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	3	3	1.0	1.0
3	秦海明	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	4	46	2.0	4.0
4	张烨	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	6	30	2.0	5.0
5	江浩川	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	5	2	1.0	1.0
6	陈先强	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	1	2	1.0	1.0