使用传输线理论的硅通孔电参数提取方法

• 作者: 周子琛 申振宁
• 来源期刊: 电讯技术
• 学科: 工学
• 关键词: 三维集成电路 通硅孔 电参数提取 传输线理论
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 页码范围: 1405-1408
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 1695字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-893x.2016.12.018

摘要

针对三维集成电路中的关键技术硅通孔的电特性,使用传输线理论提取了其单位长度RL-GC参数。将硅通孔等效为传输线,利用HFSS仿真结果并结合传输线理论给出了具体的参数提取方法。计算结果表明,硅通孔单位长度RLGC 参数呈现较强的频变特性,当频率从1 MHz增加到20 GHz时,单位长度的电阻和导纳分别从0.45 mΩ/μm和2.5μS/μm增加到2.5 mΩ/μm和17μS/μm,而单位长度电感和电容分别从8.7 pH/μm和8.8 fF/μm减小至7.5 pH/μm和0.2 fF/μm。与传统的阻抗矩阵和导纳矩阵提取方法相比,该方法具有结果绝对收敛和适用频率高等诸多优点,可进一步应用于三维集成电路的仿真设计。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周子琛	武警工程大学电子技术系	14	87	6.0	9.0
2	申振宁	武警工程大学信息工程系	17	131	6.0	11.0