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摘要:
介绍了一种高速同步存储系统的设计方案.系统使用NAND Flash构建片内存储阵列、同步管理技术和流水线的设计方案提高其存储速度.在Flash的同步模式下的读、写技术基础上,引入了片内Flash阵列管理方法,使整个Flash的存储速度有了大幅度的提高.同时针对Flash的坏块检测问题,引入了片外存储坏块地址的方法,提高了系统的坏快检测效率,保证系统的稳定性的同时,最大程度上提升了系统的性能.测试结果表明,该系统存储速度快、存储容量大、可靠性高.
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文献信息
篇名 高速数据同步存储系统设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 高速存储器 片内FLASH阵列 坏块管理 同步技术
年,卷(期) 2016,(6) 所属期刊栏目 电子电路设计分析及应用
研究方向 页码范围 1421-1424
页数 4页 分类号 TP274
字数 2321字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.06.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 马游春 中北大学电子测试国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室 62 491 12.0 20.0
2 刘海霞 中北大学电子测试国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室 3 10 1.0 3.0
3 王悦凯 中北大学电子测试国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室 4 21 3.0 4.0
4 姜德 中北大学电子测试国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室 5 15 2.0 3.0
5 吴正洋 中北大学电子测试国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室 4 20 3.0 4.0
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  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
高速存储器
片内FLASH阵列
坏块管理
同步技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
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