硅片CMP终点检测技术现状与发展趋势

• 作者: 罗余庆
• 来源期刊: 四川水利
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 终点检测 硅片
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 87-90
• 页数: 4页
• 分类号: TQ580.692
• 字数: 2089字
• 语种: 中文

摘要

化学机械抛光是硅片表面全面平坦化的核心技术之一,其中准确有效的终点检测是影响抛光效果的重要关键.若未能有效地监测抛光工艺过程,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷.本文在介绍CMP机制的基础上,着重阐述了当前几种CMP终点检测技术的原理及优缺点,最后讨论了CMP终点检测技术的发展趋势.