拉伸应变对单层MoTe2电子结构的影响

• 作者: 张芳 赵旭 陈鹏
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 二碲化钼 拉伸应变 电子结构
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 页码范围: 942-947
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 3232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2016.07.04

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算了单层MoTe2的能带结构和态密度，研究了拉伸应变对单层MoTe2电子结构的影响。结果表明：与单轴应变相比，双轴应变对Te–Te原子间距和Te–Mo–Te键角等晶格参数的影响更大，键长和键角的变化会影响原子不同轨道间的耦合强度，因此在调节单层MoTe2的带隙宽度时，施加双轴应变比单轴应变更有效。对单层MoTe2施加单轴应变后，其带隙宽度随着应变的增加缓慢减小，能带结构与未施加应变时相同，仍为直接带隙。而施加双轴应变后，单层MoTe2的带隙宽度明显变小，当应变接近6%时，其能带结构由直接带隙变为间接带隙。通过对投影电荷密度的分析，揭示了施加双轴拉伸应变时能带结构变化的根本原因。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈鹏	河南师范大学物理与电子工程学院	46	99	5.0	7.0
2	张芳	平顶山学院电气信息工程学院	16	18	2.0	2.0
3	赵旭	河南师范大学物理与电子工程学院	9	32	3.0	5.0