应变和C掺杂对单层BN纳米片的电子结构和磁学性质的影响

• 作者: 何开华 姬广富 王希成 王清波 陈琦丽 高本州
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: BN纳米片 应变 掺杂 电子结构 半金属性
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 1148-1154
• 分类号: O469
• 字数: 3992字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2011.06.028

摘要

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了应变和C原子掺杂对单层BN纳米片的电子结构和磁学性质的影响.计算结果表明未掺杂的单层BN纳米片具有宽的直接带隙,在压缩和拉伸应变的作用下,带隙会分别增大和减小,但应变对带隙的调制整体效果不太明显.单个C原子掺入BN纳米片的态密度揭示体系呈现出半金属性(Half-metallicity),磁矩主要源于C2p态,而B 2p和N 2p态在极化作用下也能提供部分磁矩.两个C原子掺入BN纳米片时,磁性基态会随着C原子的间距发生变化:当两C原子为最近邻(nn)和次近邻(nnn)时,反铁磁态为磁性基态；而当两C原子为次次近邻(nnnn)时,铁磁态为基态,并且其态密度也显示出半金属性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈琦丽	中国地质大学数学与物理学院	11	165	4.0	11.0
2	姬广富	中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理国防科技重点实验室	42	255	9.0	14.0
3	何开华	中国地质大学数学与物理学院	18	131	6.0	11.0
4	王清波	中国地质大学数学与物理学院	5	6	2.0	2.0
5	王希成	中国地质大学数学与物理学院	8	21	2.0	4.0
6	高本州	中国地质大学数学与物理学院	2	2	1.0	1.0