“相变存储”技术

• 来源期刊: 智力：提高版
• 学科: 工学
• 关键词: 存储技术 相变 存取速度 IBM 哈里斯 研究员 商用 材料
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: F0003-F0003
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

相变存储技术的开发已有多年时间，而IBM认为，这项技术的成本已降至可接受的范围，从而叮以进入商用阶段。IBM研究员哈里斯·珀奇迪斯在巴黎存储技术大会上公布了这一成果。他认为，相变存储技术将于2017年成功商用。相变存储技术需要对芯片内特殊的微型玻璃材料进行电加热。材料中每个单位的降温方式可用于决定：占片中保存的数据。相变存储的存取速度是闪存的约70倍。