硅像素探测器读出芯片的设计

• 作者: 刘刚 刘湘 樊磊 王铮 魏微
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 硅像素探测器 读出芯片 时间过阈技术
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1296-1300
• 页数: 5页
• 分类号: TL82
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2016.50.07.1296

摘要

针对应用在高能物理实验的硅像素探测器，设计了一种基于时间过阈技术的像素阵列读出芯片。芯片采用商用的130 nm CMOS 工艺进行流片，共有30×10个像素单元，像素单元的面积为50μm×250μm。测试结果表明，像素单元电路的等效噪声电荷低于100e-，积分非线性优于4.2%，基本实现了设计的功能。