高频大电流电抗器近场损耗分析

• 作者: 卢增艺 吴伟华 杨海军 章进法
• 来源期刊: 磁性元件与电源
• 学科: 工学
• 关键词: 高频大电流 电抗器 近场磁场 附加损耗
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 页码范围: 136-139
• 页数: 4页
• 分类号: TM55

摘要

高频大电流电抗器要求磁路能够承受较大安匝电流而不饱和，在结构设计上往往需采用开放的空间磁路，这会对周围元件造成电磁耦合，带来额外的近场损耗和引发局部高温问题。论文详细分析了高频大电流电抗器的磁场分布特征，讨论近场磁场对周围金属支撑件带来的高频附加损耗影响，结合实际工程应用案例，进行理论分析与建模仿真，得出改善方案。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章进法		8	1	1.0	1.0
2	卢增艺		8	9	1.0	3.0
3	吴伟华		3	1	1.0	1.0
4	杨海军		5	1	1.0	1.0