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摘要:
针对强电场中电场渗透的问题,采用特殊的法拉第筒法测量脉冲束流强度:在法拉第筒入口处用栅网屏蔽强电场,并用在收集板上加正压的方式抑制二次电子。采用解析计算和数值模拟方式对栅网的形状进行了选择,在同样的栅网丝宽和透过率的前提下,通过正六边形栅网的渗透电场最弱,因此选择正六边形栅网。将设计的法拉第筒用于一台真空弧离子源的束流强度测量,获得了该离子源的束流强度波形,其峰值流强约为550 mA;利用测量结果计算了混合离子束在 Cu 收集板上的二次电子发射系数,约为2.0。
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文献信息
篇名 强电场中的脉冲束流强度测量方法
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 强电场 束流强度 法拉第筒 栅网 二次电子
年,卷(期) 2016,(11) 所属期刊栏目 加速器技术
研究方向 页码范围 115102-1-115102-4
页数 1页 分类号 TL506
字数 2602字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201527.160119
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何铁 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 14 29 3.0 4.0
2 周长庚 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 25 50 4.0 5.0
3 柯建林 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 13 17 2.0 2.0
4 邱瑞 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 9 16 3.0 3.0
5 胡永宏 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 14 34 3.0 4.0
6 刘玉国 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 2 4 2.0 2.0
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二次电子
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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