He，Au离子辐照AuCu3致元素表面偏析?

• 作者: 法涛 莫川 陈田祥 韩录会
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 离子辐照 表面偏析 AuCu3
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 038201-1-038201-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.038201

摘要

采用磁控溅射方法在单晶硅(111)衬底上制备了AuCu3薄膜,用2 MeV He离子和1 MeV Au离子对薄膜进行辐照,用卢瑟福背散射对He, Au离子辐照前后AuCu3薄膜近表面的成分变化进行了分析,对不同离子辐照导致的表面元素偏析行为进行了研究。结果表明：当2 MeV He离子辐照时,随着辐照剂量增大,观察到样品近表面Au元素偏析的趋势；当1 MeV Au离子辐照时,随着辐照剂量增大,观察到样品近表面Cu元素偏析的趋势,与He离子辐照相反。通过对He, Au离子在样品中产生的靶原子空位及其分布分析,发现靶原子空位浓度分布的梯度是导致两种不同表面元素偏析趋势的原因,空位扩散是其中的主要机理。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈田祥	中国科学院高能物理研究所	3	0	0.0	0.0
2	法涛	中国工程物理研究院材料研究所	6	3	1.0	1.0
4	韩录会	中国工程物理研究院材料研究所	2	3	1.0	1.0
7	莫川	中国工程物理研究院材料研究所	2	0	0.0	0.0