四元Heusler合金CoFeTiSb的空位和反位缺陷效应

• 作者: 冯雨 吴波 周庭艳 李平 杨秀德 黄海深
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: Heusler合金 空位缺陷 反位缺陷
• 年，卷（期）: 2016,（16）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 105-108,114
• 页数: 5页
• 分类号: O469|O482
• 字数: 3043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.023

摘要

采用密度泛函理论研究了空位和反位缺陷效应对四元Heusler合金CoFeTiSb电子结构的影响.结果表明,VdCo、VdFe空位缺陷和Tisb反位缺陷具有负的形成能,能保持85％以上的自旋极化率,在CoFeTiSb合金工业制备过程中自发形成几率较大;VdTi、VdSo空位缺陷和FeCo反位缺陷虽然费米面处自旋极化率为100％,仍保持半金属性,但正的形成能表明在制备过程中它们出现的几率较小.此外,SbCo、SbFe、SbTi、CoTi、FeTi反位缺陷由于具有较大的形成能和半金属性破坏,自旋极化率不同程度降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴波	遵义师范学院物理与机电工程学院	35	60	4.0	5.0
3	杨秀德	遵义师范学院物理与机电工程学院	29	49	4.0	5.0
4	冯雨	西南大学物理科学与技术学院	7	15	2.0	3.0
5	黄海深	遵义师范学院物理与机电工程学院	17	32	3.0	4.0
6	周庭艳	遵义师范学院物理与机电工程学院	7	8	2.0	2.0
9	李平	遵义师范学院物理与机电工程学院	5	6	1.0	2.0