强磁场对酞菁铁薄膜分子取向及形貌的影响?

• 作者: 刘凌云 张文华 徐法强 方军 王凯 高品 黄超
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 有机半导体 分子取向 有机分子束沉积 近边X射线吸收精细结构
• 年，卷（期）: 2016,（15）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 156101-1-156101-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.156101

摘要

有机半导体器件的性能在很大程度上受有机分子取向和堆积方式的影响，研究调控有机分子取向的方法对优化器件性能有重要意义.在强磁场(8.5 T)下使用有机分子束沉积方法在Si(111)衬底上制备了酞菁铁薄膜.应用X射线衍射、角分辨近边X射线吸收精细结构、偏振激光拉曼光谱、原子力显微镜等技术研究了磁场对酞菁铁薄膜的分子取向和形貌的影响.结果表明，酞菁铁分子相对于衬底呈侧立构型并形成α相的薄膜.在强磁场作用下，分子平面与衬底的夹角由63.6?增大为67.1?，形成薄膜的结晶度明显提高，晶粒更加均匀，在衬底上的分布更加有序.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐法强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	41	370	7.0	18.0
2	王凯	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	114	1762	21.0	40.0
3	方军	中国科学院合肥强磁场科学中心	24	293	7.0	17.0
4	张文华	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	28	378	8.0	19.0
5	黄超	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	28	74	5.0	7.0
6	刘凌云	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	3	2	1.0	1.0
7	高品	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	1	1	1.0	1.0