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摘要:
研究基于硅基平台的PLC VOA器件,探讨上包层薄膜工艺与PLC VOA的偏振相关损耗(PDL)之间的关系.通过设计工艺实验,分析上包层薄膜的厚度、杂质浓度、薄膜退火温度和退火气氛的变化导致的工艺参数变化(薄膜折射率RI、应力值Stress).然后分析工艺参数与产品特性参数(插入损耗IL和偏振相关损耗PDL)之间的相关性.
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文献信息
篇名 PLC VOA(Planar Lightwave Circuit Variable Optical Attenuation)偏振损耗相关性分析
来源期刊 探索科学 学科
关键词 PLCVOA 偏振相关损耗 插入损耗
年,卷(期) 2016,(10) 所属期刊栏目 科学与探讨
研究方向 页码范围 255
页数 1页 分类号
字数 2043字 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
PLCVOA
偏振相关损耗
插入损耗
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
探索科学
月刊
2095-588X
10-1148/N
北京市万寿路南口金家村288号华信大厦
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