微结构对单根Ni/NiO核壳纳米线器件阻变性能的影响

• 作者: 刘圆 张家奇 相文峰 胡明皓 赵昆 钟寿仙
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ni/NiO核壳纳米线 阻变存储器 微结构 退火温度 热处理
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 11-15,37
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.01.002

摘要

通过化学还原和热处理的方法制备出了具有核壳结构的Ni/NiO纳米线,利用扫描电子显微镜、X射线衍射、热重分析等手段对不同退火温度下的样品进行了结构表征和分析,分析了样品微结构对单根Ni/NiO纳米线器件阻变性能的影响.结果表明:随着退火温度的升高,Ni/NiO纳米线表面逐渐光滑,NiO薄膜层结晶度提高,NiO平均粒径逐渐增大,氧化层也逐渐变厚.I-Ⅴ测试曲线表明,在300℃退火条件下,单根Ni/NiO纳米线器件展现出优异的阻变性能,开关比大,开关阈值电压小;但随着温度的升高,单根Ni/NiO纳米线器件阻变性能明显下降,其原因可能是因为退火温度的进一步升高导致了NiO薄膜层厚度的增加并提高了薄膜的结晶质量阻碍了导电细丝在NiO层内的产生造成的,只有在适当温度处理下出现的微结构才能使Ni/NiO纳米线器件具有最优化的阻变性能.