阴极发射不足引发微波管高压击穿现象的研究

• 作者: 丁耀根 张永清 杜锡九 阴生毅 顾红红
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 微波管 阴极 高压击穿 电场强度 场增强效应
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 58-62
• 页数: 5页
• 分类号: O462.1
• 字数: 5182字
• 语种: 中文

摘要

关于阴极发射不足引发微波管高压击穿的机理一直缺乏相应的阐述.本文以一只高功率速调管为对象,记录了该管产生高压击穿时的阴极工作条件;计算了击穿点处阴极表面的静电场强度;找出了阴极边缘产生发射不足的原因;分析了发射不足对阴极发射点处电场分布的影响;论述了阴极边缘发射不足引发高压击穿的机理.研究表明,阴极边缘发射不足引起的发射点场增强效应、以及阴极边缘毛刺引起的场增强效应,共同作用使得微波管产生了高压击穿现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁耀根	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	112	1050	18.0	26.0
2	张永清	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	32	207	8.0	14.0
3	阴生毅	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	18	101	6.0	9.0
4	杜锡九		7	5	1.0	2.0
5	顾红红	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	2	1	1.0	1.0