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UiO-66荧光微晶材料的制备及发光性能
UiO-66荧光微晶材料的制备及发光性能
作者:
丁艳花
张娜
张小磊
房永征
赵国营
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
UiO-66
镧系阳离子
白光发射
摘要:
采用浸渍法将镧系阳离子Ln3+(Ln3+为Eu3+,Tb3+)注入到UiO-66的孔道中获得荧光微晶材料,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重分析(TGA)对样品进行表征,并通过荧光光谱测试(PL)研究样品的荧光性能.研究表明,这种荧光微晶材料(L n3+@U iO-66)的荧光具有可设计性以及可调性.结果显示,Eu3+和T b3+共掺后,当Eu3+的物质的量分数为45%,且Eu3+浓度为0.1 mmol/L时,所得到的Ln3+@UiO-66在波长为304 nm的紫外光源照射下出现较强的白光发射,色坐标为(0.3335,0.3255),与标准白光光源(0.333,0.333)十分接近.这表明Eu3+和Tb3+共掺的Ln3+@UiO-66荧光微晶材料在白光发射二极管(WLED)领域中具有广阔的应用前景.
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催化
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聚合物
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文献信息
篇名
UiO-66荧光微晶材料的制备及发光性能
来源期刊
应用技术学报
学科
化学
关键词
UiO-66
镧系阳离子
白光发射
年,卷(期)
2017,(4)
所属期刊栏目
研究论文&综述
研究方向
页码范围
321-326
页数
6页
分类号
O646.16
字数
3576字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.2096-3424.2017.04.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
房永征
上海应用技术大学材料科学与工程学院
46
146
7.0
9.0
2
张娜
上海应用技术大学材料科学与工程学院
39
48
3.0
5.0
3
赵国营
上海应用技术大学材料科学与工程学院
6
1
1.0
1.0
4
丁艳花
上海应用技术大学材料科学与工程学院
6
5
1.0
1.0
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张小磊
上海应用技术大学材料科学与工程学院
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
UiO-66
镧系阳离子
白光发射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
应用技术学报
主办单位:
上海应用技术学院
上海科学院
上海化工研究院
出版周期:
季刊
ISSN:
2096-3424
CN:
31-2133/N
开本:
大16开
出版地:
上海是徐汇区漕宝路120号期刊社
邮发代号:
创刊时间:
2001
语种:
chi
出版文献量(篇)
1505
总下载数(次)
5
总被引数(次)
5083
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