美国纽约功率电子制造协会取得重要里程碑成功制造出其首个SiC基图形化晶圆

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 电子制造 SIC 图形化 晶圆 美国 协会 功率 纽约
• 年，卷（期）: bdtxx_2017,（1）
• 页码范围: 14-15
• 页数: 2页
• 分类号: TN405

摘要

位于纽约州立大学理工学院（SUNYPoly）奥尔巴尼纳米技术研究中心的美国功率电子制造协会（NY-PEMC）使用SUNYPoly的150mm碳化硅（SIC）工艺线，制造出其首片SiC基图形化晶圆。SUNYPoly的150mmSiC工艺线据其表示是美国首个致力于SiC晶圆平台的生产线。