在芯片表面囚禁冷极性分子的多功能静电阱

• 作者: 李胜强
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 原子与分子物理学 冷极性分子 静电表面阱 蒙特卡罗模拟 有限元分析
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 原子与分子物理
• 页码范围: 49-56
• 页数: 8页
• 分类号: O561
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS201737.0602001

摘要

提出了一种川一对金属平板电容器和4根半埋入绝缘介质的杆电极组成的用于囚禁处于弱场搜寻态的冷极性分子的静电表面阱方案.用有限元软件计算了单阱囚禁时的空间电场分布,发现芯片表面上方2.2 mm左右形成了一个三维封闭的静电阱.选用重氨(ND3)分子作为测试分子,用经典的蒙特卡罗方法模拟了ND3分子被装载和囚禁的动力学过程.模拟结果表明,当ND3分子束中心速度为13 m/s、装载时刻为0.576 ms时,最大装载效率可达53％,被囚禁的冷极性分子的温度约为35 mK;如果继续增大平板电极的电压,则原先的单阱将对称分裂为两个阱,两个阱中的分子数目比为1∶1;通过改变中间两个杆电极的电压,可实现非对称分裂,以此来调节两阱中囚禁分子数目比;可实现在0％～100％范围内左阱和右阱的分子数口占总分子数目的比例的调节.该方案为进一步研究三维闪禁型冷极性分子静电表面干涉仪打下基础,对于精密测量和研究物质波干涉有着重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李胜强		4	4	2.0	2.0