低磷胁迫下加硅对玉米苗期硅、磷营养及叶绿素荧光参数的影响

• 作者: 孔凡磊 张嘉莉 张鸿 朱从桦 王兴龙 蒋艺 袁继超
• 来源期刊: 水土保持学报
• 学科: 生物学
• 关键词: 低磷胁迫 硅 磷 叶绿素荧光参数 干物质
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 303-309
• 分类号: Q945.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13870/j.cnki.stbcxb.2017.01.050

摘要

为研究硅对低磷胁迫下玉米苗期硅、磷吸收积累和叶绿素荧光参数的影响,采用砂培方式模拟低磷胁迫环境,以玉米品种正红2号和正红115为供试材料,设置3个磷浓度:重度低磷胁迫P1(0.01 mmol/L)、中度低磷胁迫P2 (0.1 mmol/L)和正常磷浓度P3(1 mmol/L),设置3个硅浓度:Si1(0 mmol/L)、Si2(0.75 mmol/L)和Si3 (1.5 mmol/L),定苗培养28 d,测定植株顶部往下第1全展叶叶绿素荧光参数、植株干物质重、硅和磷素含量和积累量.结果表明:(1)磷浓度从P3降低至P2和P1,2个玉米品种平均,单株干物质积累量、硅积累量、磷积累量分别下降34.73％,39.26％,29.10,33.01％,81.81％,87.63％;同时降低叶片PSⅡ反应中心开放程度、减弱光能捕获和光能转换能力、降低电子传递效率,导致植株叶片热耗散能力明显增强.(2)硅浓度从Si1增加至Si2和Si3,2个玉米品种平均,单株干物质积累量、硅积累量、磷积累量分别提高21.54％,36.05％,120.08％,236.65％,39.81％,69.17％;同时增加叶片PSⅡ反应中心开放程度,提高光能捕获和光能转换效率,增加电子传递效率,加速利用过剩激发能.(3)玉米植株硅积累量和磷积累量呈显著正相关,并且F./Fm(XE)、Fv'/Fm'(XE')、Fq'/Fm'(φPSⅡ)、ETR与植株硅积累量和磷积累量也呈显著正相关.(4)在P3和P2处理中,与Si1相比,Si2和Si3能明显提高正红2号和正红115植株硅、磷素积累量,提高叶片对光能的捕获、转化和传递效率,提高植株的干物质积累量;在重度低磷胁迫P1处理中施硅对玉米幼苗硅、磷营养和叶绿素荧光参数的改善作用十分微弱.综上所述,在非严重低磷胁迫条件下,外源加硅可以增强玉米对硅、磷的吸收和积累,提高叶片光合物质生产能力,加速消耗过剩的激发能,减轻光抑制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鸿	四川省农业科学院植物保护研究所	111	491	10.0	15.0
2	袁继超	四川农业大学农学院	136	2150	21.0	40.0
3	王兴龙	四川农业大学农学院	7	78	6.0	7.0
4	孔凡磊	四川农业大学农学院	19	128	8.0	11.0
5	朱从桦	四川农业大学农学院	5	11	1.0	3.0
7	张嘉莉	四川农业大学农学院	7	67	5.0	7.0
10	蒋艺	四川农业大学农学院	1	10	1.0	1.0