高灵敏度InAs/AlSb量子阱的霍尔器件

• 作者: 李永峰 杨小峰 武利翻 苗瑞霞
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 霍尔器件 量子阱 δ掺杂 分子束外延
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1650-1653
• 页数: 4页
• 分类号: TN305|TN382
• 字数: 506字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173812.1650

摘要

用分子束外延在GaAs(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构.研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系.结果表明,在300 K下,Si-δ掺杂的量子阱结构的电子迁移率高达25000 cm2?V-1?s-1,并且该器件输入电阻和输出电阻较低.同时,Si-δ掺杂的量子阱结构霍尔器件的敏感度好于没有掺杂的量子阱结构霍尔器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苗瑞霞	西安邮电大学电子工程学院	14	2	1.0	1.0
2	武利翻	西安邮电大学电子工程学院	11	17	2.0	3.0
3	杨小峰	西安邮电大学电子工程学院	2	0	0.0	0.0
4	李永峰	西安邮电大学电子工程学院	1	0	0.0	0.0