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太赫兹探测器读出电路的单电子晶体管制备
太赫兹探测器读出电路的单电子晶体管制备
作者:
俞圣雯
刘永涛
张志鹏
方靖岳
李欣幸
秦华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
零宽度线曝光
单电子晶体管
近邻效应
太赫兹单光子探测器
隧穿势垒
摘要:
射频单电子晶体管具有高电荷灵敏度和高读出速率的特点,可用于超导太赫兹单光子探测器产生的微弱电荷信号的读出.采用绝缘体上硅(SOI)材料制备的硅基单电子晶体管具有结构可控、工艺可重复的优点.但是,目前单电子晶体管的成品率约为30%,难以满足探测器阵列化的需求.为进一步提高单电子晶体管成品率,首先采用电子束零宽度线曝光工艺精确设定单电子晶体管的图形,其次对感应耦合等离子体刻蚀工艺中的气氛比例进行优化,实现电子束曝光图形的良好转移.最后通过降低氧化温度进一步保持了图形转移的准确度.单电子晶体管的隧穿势垒宽度得到了良好的控制,使成品率提高到90%,增强了单电子晶体管作为阵列化超导太赫兹单光子探测器读出电路的可行性.
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文献信息
篇名
太赫兹探测器读出电路的单电子晶体管制备
来源期刊
太赫兹科学与电子信息学报
学科
工学
关键词
零宽度线曝光
单电子晶体管
近邻效应
太赫兹单光子探测器
隧穿势垒
年,卷(期)
2017,(1)
所属期刊栏目
太赫兹科学技术
研究方向
页码范围
15-20
页数
6页
分类号
TN325.2
字数
3087字
语种
中文
DOI
10.11805/TKYDA201701.0015
五维指标
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零宽度线曝光
单电子晶体管
近邻效应
太赫兹单光子探测器
隧穿势垒
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
主办单位:
中国工程物理研究院电子工程研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
2095-4980
CN:
51-1746/TN
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919信箱532分箱
邮发代号:
62-241
创刊时间:
2003
语种:
chi
出版文献量(篇)
3051
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11167
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