氧化石墨烯纳米带能带结构和态密度的第一性原理研究

• 作者: 卜祥天 王伟华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化石墨烯纳米带 能带 分波态密度 第一性原理
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1617-1621
• 页数: 5页
• 分类号: O472.4|TB321
• 字数: 2509字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173812.1617

摘要

基于密度泛函理论,采用第一性原理方法,计算了氧化石墨烯纳米带的电荷密度、能带结构和分波态密度.结果表明,石墨烯纳米带被氧化后,转变为间接带隙半导体,带隙值为0.375 eV.电荷差分密度表明,从C原子和H原子到O原子之间有电荷的转移.分波态密度显示,在导带和价带中C-2s、2p,O-2p,H-1s电子态之间存在强烈的杂化效应.在费米能级附近,O-2p态电子局域效应的贡献明显,对于改善氧化石墨烯纳米带的半导体发光效应起到了主要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟华	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	5	11	2.0	3.0
2	卜祥天	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	1	2	1.0	1.0