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一维光子晶体带隙边缘处态密度突然增强现象的理论分析
一维光子晶体带隙边缘处态密度突然增强现象的理论分析
作者:
廖同庆
胡迎宾
贺超
贾学松
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
一维光子晶体
态密度
归一化
边缘增强
局域最大值
摘要:
针对一维光子晶体态密度(density of states,DOS)特性,建立数学计算模型,并就其带隙边缘突然增强现象,研究了近似局域最大值与周期数、薄膜材料折射率之间的对应关系.首先计算得到了特定周期数、相对折射率差下的近似局域最大值,接着绘制了DOS带隙特性曲线,验证了局域最大值的准确性.最后通过分析,进一步得到了周期数、相对折射率差对带隙边缘处DOS突然增强现象的调制关系.
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文献信息
篇名
一维光子晶体带隙边缘处态密度突然增强现象的理论分析
来源期刊
中国科技论文
学科
物理学
关键词
一维光子晶体
态密度
归一化
边缘增强
局域最大值
年,卷(期)
2017,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
195-199
页数
5页
分类号
O484.4
字数
3750字
语种
中文
DOI
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姓名
单位
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1
廖同庆
安徽大学电子信息工程学院
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胡迎宾
安徽大学电子信息工程学院
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贺超
安徽大学电子信息工程学院
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贾学松
安徽大学电子信息工程学院
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期刊影响力
中国科技论文
主办单位:
教育部科技发展中心
出版周期:
月刊
ISSN:
2095-2783
CN:
10-1033/N
开本:
大16开
出版地:
北京市海淀区中关村大街35号教育部科技发展中心
邮发代号:
创刊时间:
2006
语种:
chi
出版文献量(篇)
4942
总下载数(次)
10
总被引数(次)
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