单分散中空二氧化硅微球的制备

• 作者: 万恒成 姚卫棠 易欢 段涛 牛振威 程文财 竹文坤
• 来源期刊: 西南科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 中空二氧化硅微球 牺牲模板法 微米级微球
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TB321
• 字数: 4503字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-8755.2017.04.001

摘要

通过牺牲微米级PS模板原位合成方法制备微米级单分散中空SiO2微球,着重研究反应温度(50,70℃)、TEOS用量(2,3,4 g)、氨水用量(1,2,3 mL)与MTC用量(0.2,0.4g)等参数对中空微球的影响,获得微米级(1～5μm)、结构(孔径、壁厚等)可控的单分散中空SiO2微球的最佳制备工艺,通过扫描电镜分析(SEM)、透射电镜分析(TEM)、红外光谱分析(FT-IR)、热失重分析(TGA)、氮吸附(BET)等测试手段表征了微球性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段涛	西南科技大学新能源材料研究中心	59	398	9.0	18.0
2	竹文坤	西南科技大学新能源材料研究中心	38	133	6.0	9.0
3	牛振威	西南科技大学新能源材料研究中心	2	2	1.0	1.0
4	万恒成	西南科技大学新能源材料研究中心	1	1	1.0	1.0
5	姚卫棠	西南科技大学新能源材料研究中心	3	1	1.0	1.0
6	易欢	西南科技大学新能源材料研究中心	1	1	1.0	1.0
7	程文财	西南科技大学新能源材料研究中心	1	1	1.0	1.0