Bi掺杂SrTiO3陶瓷缺陷结构模拟及介电性能研究

• 作者: 丁士华 刘杨琼 张瑶 彭小松 肖鹏 胡龙虎
• 来源期刊: 西华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SBT陶瓷 介电性能 极化机制 缺陷偶极子 GULP模拟
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 先进材料及能源
• 页码范围: 43-49
• 页数: 7页
• 分类号: TM28
• 字数: 4101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-159X.2017.02.09

摘要

采用固相反应制备Sr1-xBixTiO3陶瓷,研究Bi掺杂对SrTiO3的介电性能、缺陷结构及缺陷偶极子的影响.通过X线衍射(XRD)分析其物相结构,表明在掺杂浓度范围内均未出现第二相.通过GULP模拟,得到Sr1-xBixTiO3中可稳定存在的缺陷偶极子有[2 BiSr*+VSr″]、[Vo..+VSr″]、[2Vo..+VTi″″]和[Vo..+2TiTi′].各组掺杂陶瓷样品的弛豫特性均满足Arrhenius定律,这是弛豫受热激发所致,随着Bi掺杂量的增加弛豫激活能增加,弛豫度减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖鹏	西华大学材料科学与工程学院	7	13	2.0	3.0
2	丁士华	西华大学材料科学与工程学院	111	243	8.0	10.0
3	刘杨琼	西华大学材料科学与工程学院	8	12	2.0	3.0
4	彭小松	西华大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0
5	张瑶	西华大学材料科学与工程学院	6	9	1.0	3.0
6	胡龙虎	西华大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0