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摘要:
MoS2与其他半导体的异质结一般采用二次生长法,该方法比较费时,而且容易产生聚集,针对该问题,本文采用高压釜水热法一次制备出了MoS2/SnO2与MoS2/SnS2的复合物,利用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-vis-NIR)对样品进行了表征.实验结果显示,复合结构中,MoS2为二维少层结构,制备过程中的NH4+对MoS2二维结构的成形有促进作用;通过调整钼源与锡源的比例,发现将SnCl4与(NH4)6Mo7O24中金属离子摩尔比调整为9∶1时,可以稳定得到MoS2/SnS2的二维材料.通过分析其生长机理可知,金属盐水解引起的溶液酸碱性变化及相互影响,对复合结构的成型起主要作用.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 水热合成基于MoS2二维材料的MoS2/SnO2与MoS2/SnS2复合物
来源期刊 武汉大学学报(理学版) 学科 化学
关键词 水热法 硫化钼 二维材料 复合物
年,卷(期) 2017,(6) 所属期刊栏目 物理
研究方向 页码范围 471-475
页数 5页 分类号 O614
字数 语种 中文
DOI 10.14188/j.1671-8836.2017.06.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王取泉 武汉大学物理科学与技术学院 19 88 6.0 8.0
2 骆志军 武汉大学物理科学与技术学院 1 0 0.0 0.0
3 王佳宏 武汉大学物理科学与技术学院 1 0 0.0 0.0
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水热法
硫化钼
二维材料
复合物
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武汉大学学报(理学版)
双月刊
1671-8836
42-1674/N
大16开
湖北武昌珞珈山武汉大学梅园一舍
38-8
1930
chi
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