铵离子插层MoS2的制备与表征

• 作者: 周宇 徐玉福 胡献国
• 来源期刊: 应用化学
• 学科: 化学
• 关键词: MoS2 铵离子 插层复合物
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: O611.6|TQ050.4
• 字数: 2084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0518.2008.01.002

摘要

以剥层重堆法制备了NH+4/MoS2插层复合物,该复合物可以作为长期储存的单层MoS2,同时也可作为先驱体以便插入其它客体分子制成新的插层复合物.通过XRD、热重分析和元素分析等测试技术对该插层复合物进行了表征.结果表明,MoS2经NH+4插层后,其层间距由0.615nm增加到0.954nm,由元素分析和热重分析得出插层复合物的组成分别为(NH+4)3.1 MoS2 和(NH+4 )2.9 MoS2 . 插层复合物在空气中放置30 d后,其XRD和热重分析的结果表明该插层复合物的储存稳定性良好. 此外,插层复合物的插层程度受氯化铵溶液浓度、反应温度、反应时间等反应条件的影响,质量分数为1.0%的氯化铵溶液, 反应温度30 ℃和反应时间12 h,所得到的NH+4 /MoS2插层复合物层间距最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐玉福	合肥工业大学摩擦学研究所	56	442	12.0	15.0
2	胡献国	合肥工业大学摩擦学研究所	117	1359	17.0	30.0
3	周宇	合肥工业大学摩擦学研究所	5	9	2.0	3.0