大面阵内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留研究

• 作者: 向鹏飞 李睿智 袁安波 郭培 龙飞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 行间转移 CCD 反应离子刻蚀 残留物
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 365-368
• 页数: 4页
• 分类号: TN929.11
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.03.013

摘要

分析了引起大面阵内线转移CCD直流短路的原因,确认了二次金属铝刻蚀残留是引起器件失效的主要原因.利用扫描电子显微镜技术,研究了刻蚀工艺参数对内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留的影响.优化了预刻蚀、主刻蚀和过刻蚀三个阶段的工艺条件,消除了金属铝刻蚀残留.采用优化的工艺参数进行二次金属铝刻蚀,器件直流成品率提高了30％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁安波		9	11	2.0	3.0
2	向鹏飞		11	16	2.0	3.0
3	龙飞		11	58	3.0	7.0
4	李睿智		7	8	2.0	2.0
5	郭培		1	0	0.0	0.0