氮氧化铝的原子层沉积制备及其阻变性能研究

• 作者: 余珏 刘宇 徐剑芳 李俊 李成 汪建元 陈松岩 黄巍
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 原子层沉积 AlNxOy薄膜 阻变存储器 双极型
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 886-890
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 1881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.201703001

摘要

以等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)技术生长氮氧化铝(AlNxOy)薄膜,磁控溅射Ag上电极制备结构为Ag/AlNxOy/Pt的阻变存储器(RRAM).器件呈现双极性阻变特性,正向开启电压稳定且分布窄,变化幅度集中在0.5V的范围内.高阻态和低阻态电阻之比超过103,并具有免激活特性.低温测试表明,器件的低阻态电阻和温度正相关,说明了阻变的机制为银导电细丝的形成和断裂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理科学与技术学院	68	248	8.0	12.0
2	李成	厦门大学物理科学与技术学院	45	140	7.0	11.0
3	徐剑芳	厦门大学物理科学与技术学院	4	8	1.0	2.0
4	李俊	厦门大学物理科学与技术学院	9	65	5.0	8.0
5	黄巍	厦门大学物理科学与技术学院	11	9	2.0	2.0
6	汪建元	厦门大学物理科学与技术学院	3	6	1.0	2.0
7	刘宇	厦门大学物理科学与技术学院	6	4	1.0	2.0
8	余珏	厦门大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0