原子层沉积制备TiN薄膜对三维MIM电容器的影响

• 作者: 丑修建 何剑 熊继军 穆继亮 马宗敏
• 来源期刊: 中北大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: MIM电容器 TiN 原子层沉积 高深宽比 电学性能
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 电子与电子信息
• 页码范围: 614-618
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2112字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3193.2017.05.019

摘要

基于原子层沉积技术和高深宽比硅微基础结构,分别选用W、TiN和Al2 O3作为电极层、缓冲层和介质层,实现了两种三维MIM电容器.采用SEM、XRD、XPS和电学测试仪等分析手段,重点研究原子层沉积技术所制备的TiN薄膜特性及其对MIM电容器的影响.结果表明:无定型TiN薄膜具有良好的化学计量比和导电特性,其应力缓冲作用增加了电容器金属与介质层间的粘附性,且提高电容器容值达8.3%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丑修建	中北大学仪器与电子学院	49	225	9.0	13.0
5	穆继亮	中北大学仪器与电子学院	21	66	4.0	8.0
9	何剑	中北大学仪器与电子学院	21	25	3.0	3.0
13	马宗敏	中北大学仪器与电子学院	16	19	2.0	3.0