基于硅透镜集成的高灵敏度室温太赫兹探测器

• 作者: 孙云飞 孙建东 班建民 田学农 秦华 罗恒 胡伏原 陶重犇
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 探测器 太赫兹 高电子迁移率晶体管(HEMT) 硅透镜 灵敏度
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 技术论坛
• 页码范围: 729-733
• 页数: 5页
• 分类号: TL814|TN386.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.11.001

摘要

提出了一种基于硅透镜集成的高灵敏度GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的太赫兹模组探测器.在太赫兹波辐照下,超半球硅透镜可以有效提高太赫兹波收集效率和消除被测器件的衬底干涉效应,进而提高探测器的灵敏度.对集成有直径为6 mm超半球硅透镜的太赫兹探测器件进行了仿真和测试.研究发现在频率为600和900 GHz的太赫兹波辐照下,硅透镜中心区域的太赫兹电场分别增加到原来的5.9倍和6.8倍.在300 K下器件的响应度和噪声等效功率分别为4.5 kV/W和30 pW/Hz0.5,在77 K下器件的响应度达到100 kV/W,噪声等效功率降至1 pW/Hz0.5.