一种双通道射频接收前端

• 作者: 匡珩 蒋东铭 黄贞松
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 砷化镓 MCM 双通道接收前端
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 电子通信工程
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TN851
• 字数: 1873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2096-4706.2017.04.025

摘要

本文研究采用SOI(绝缘体上硅)工艺设计开关芯片,砷化镓(GaAs)工艺单片LNA,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的双通道接收前端,在1~4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过CW功率5W,NF小于1.2dB,增益大于30dB,P-1dB大于10dBm,尺寸为5mm×5mm的QFN封装.双通道射频接收前端可广泛应用于TDD通信系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋东铭		2	6	1.0	2.0
2	黄贞松		5	7	1.0	2.0
3	匡珩		2	2	1.0	1.0