基于GPM的PVT电路快速仿真方法

• 作者: 殷树娟
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 工艺电压温度组合 高斯过程模型 工艺角 最坏情况
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 页码范围: 16-18,24
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

本文针对45 nm及以下工艺节点中工艺角数目不断增多的情况,利用高斯过程模型GPM的贝叶斯回归方法实现了一种基于GPM的PVT电路快速仿真方法.该方法通过定义一组具有不同概率的备选函数族,在自适应算法下通过尽可能少的仿真次数优化输出变量的不确定度,快速找出电路设计的最坏情况,直至满足设计要求,从而解决了传统的多项式拟合建立PV T解析模型方法的精度问题,能够在保证仿真精度的同时缩短仿真时间,提高电路设计效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷树娟	北京信息科技大学理学院	38	111	5.0	9.0