上海发展IGBT技术及产业规划的建议

• 作者: 宋海燕
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 经济
• 关键词: 大功率半导体 新能源应用 IGBT
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 市场分析
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: F426.63
• 字数: 3419字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.01.004

摘要

IGBT是综合MOS管和双极晶体管特征优势的一种新型半导体复合器件,自面世以来,IGBT以其优越的动静态性能作为一种新型电力电子半导体的器件.在国家大力发展新兴战略性产业政策的推动下,IGBT不仅在传统领域具有巨大的市场需求,而且在新兴战略性产业市场需要方面也迅速增长.行业协会在IGBT技术产业趋势和规划研究的项目课题中,分析重点内容、制定阶段目标计划,提出IGBT技术和产业发展的保障措施和对策建议,积极推动国家和上海IGBT技术与产业的进步发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋海燕		2	0	0.0	0.0