集成电路应用期刊
出版文献量(篇)
4823
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集成电路应用

Applications of IC

影响因子 0.5327
主办单位:
上海贝岭股份有限公司
ISSN:
1674-2583
CN:
31-1325/TN
出版周期:
月刊
邮编:
200233
地址:
上海宜山路810号
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  • 作者: 周晓阳
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  1
    摘要:
  • 作者: 王龙兴
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  6-10
    摘要: 2016年全球半导体市场上半年低迷,下半年回暖,全年市场规模为3 389亿美元,年增1.1%.预计2017 ~ 2018年继续增长4% ~ 7%,全球半导体产业进入温和增长期.随着全球半导体...
  • 作者: 于燮康
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  11-14
    摘要: 2017年“芯动西安”活动周启动仪式在西安隆重开幕,国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟秘书长于燮康应邀做了题为《中国集成电路产业链的现状分析》的主旨报告.以他五十年的产业经历从设计、制造...
  • 作者: 石春琦
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  15-18
    摘要: 全球半导体市场在经过2015年与2016年连续两年徘徊之后,2016年走出阴影,止跌回升.与此同时,中国集成电路产业在《国家集成电路产业发展推进纲要》的指引和国家集成电路产业投资基金的支持下...
  • 作者: 艾西苑
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  19-21
    摘要: 与全球封测巨头比拼,必须具备四个条件才能胜出.首先要有一流的技术.其次要进入国际顶尖供应链.第三要有充足的资金,这也是引大基金和中芯国际入股的原因.第四是有国际化经营团队,中芯国际是无实际控...
  • 作者: 张卫
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  22-27
    摘要: 集成电路技术到22/20 nm节点,世界技术先进厂商和技术研究机构出现了分歧,如Intel率先采用FinFET技术,而TSMC继续沿用平面体硅技术.未来,在摩尔定律的主旋律下,国际主要集成电...
  • 作者: 金锋
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  28-34
    摘要: 随着集成电路线宽的等比例缩小,可靠性问题日益严重.可靠性设计(Design-For-Reliability),即要求设计人员在电路设计时考虑器件可靠性失效模型,并进行仿真,力求在设计阶段就保...
  • 作者: 张飞 李志强
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  35-39
    摘要: 由于现在开关电源的速度越来越快,功率越来越高,密度越来越大,必然会产生干扰问题,我们就要解决这个干扰.干扰分为两个方面.一个是干扰其他的电器产品,电磁干扰EMI(electromagneti...
  • 作者: 沈同军 章征
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  40-42
    摘要: 当今的设计人员和工程师面I临着日益加剧的设计挑战,因此很有必要拥有一款能够高效率支持射频和微波设计的PCB设计工具.手动建立复杂的铜箔形状、倒角和via模式是一个既耗时又容易出错的过程.透过...
  • 作者: 王飞
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  43-46
    摘要: 根据深沟槽型超级结器件的耐压原理和沟槽刻蚀填充的工艺特征,可以通过对填充工艺的调整来提升产品的耐压能力.基于沟槽型超级结MOSFET,分析了深沟槽型超级结器件的耐压特性与工艺相关性,提出了针...
  • 作者: 潘桂忠
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  47-51
    摘要: LV/HV兼容Twice-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5V与高压1 00 V~700 V(或更高)兼容CMOS工艺.为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用比通常浅双阱更深的阱,...
  • 作者: 刘东升
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  52-57
    摘要: 探讨美国LAM2300 E4(平台型号)型机台多晶硅Poly干法刻蚀工艺下易发缺陷造成低良率问题的改善方案.该干法刻蚀工艺由于刻蚀后晶圆表面残留腐蚀性挥发气体较多,易引发晶圆产生缺陷的风险,...
  • 作者: Mark LaPedus 电姬
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  58-63
    摘要: 芯片制造商已经在基于10 nm和/或7 nm FinFET准备他们的下一代技术了,但我们仍然还不清楚FinFET还能坚持多长时间、用于高端设备的10 nm和7 nm节点还能延展多久以及接下来...
  • 作者: 冯大贵 吴长明 熊淑平
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  64-74
    摘要: 超级结器件和传统功率器件相比有导通电阻低击穿电压高的特点,在汽车电子、低压电机、变频器、逆变器、电压控制器件和变压器等领域,具有越来越广泛的应用.本文针对如何改善超级结器件的击穿电压参数问题...
  • 作者: 王龙兴
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  75-83
    摘要: 分析了2016年全球半导体产业的资本投入以及研发经费支出、全球晶圆生产线建设和产能的扩张情况、全球半导体设备市场和全球半导体材料市场的情况.全球晶圆生产线建设和产能扩张,主要用于大宗数量的商...
  • 作者: 杨荣斌
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  84-88
    摘要: 产业环境是产业成长与发展的土壤和雨水.201 6年作为“十三五”开局之年,上海集成电路产业发展的政策措施密集实施,上海集成电路产业投资基金顺利完成首期285亿元募资,一批与集成电路产业发展密...
  • 作者:
    刊名: 集成电路应用
    发表期刊: 2017年9期
    页码:  后插1
    摘要:

集成电路应用基本信息

刊名 集成电路应用 主编 何炳林
曾用名
主办单位 上海贝岭股份有限公司  主管单位 中国电子信息产业集团有限公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1674-2583 CN 31-1325/TN
邮编 200233 电子邮箱 editor@siridamedia.com
电话 021-64850700-143 网址
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