先进集成电路技术发展现状分析

• 作者: 张卫
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路技术 22/20 nm FinFET 平面体硅 存储器技术 3D NAND
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 22-27
• 页数: 6页
• 分类号: TN40
• 字数: 4997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.09.006

摘要

集成电路技术到22/20 nm节点,世界技术先进厂商和技术研究机构出现了分歧,如Intel率先采用FinFET技术,而TSMC继续沿用平面体硅技术.未来,在摩尔定律的主旋律下,国际主要集成电路企业技术发展路线在各个节点不尽相同,各显神通.在半导体存储器产品领域,先进集成电路技术面临的重大问题及挑战.针对我国当前电子信息技术良好的发展形势,进一步分析集成电路先进节点技术和存储器技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张卫	复旦大学微电子学院	43	271	10.0	14.0