半导体干法刻蚀机台传送微环境对缺陷影响的研究

• 作者: 刘东升
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅刻蚀 工艺窗口 FFU
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 52-57
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 3170字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.09.012

摘要

探讨美国LAM2300 E4(平台型号)型机台多晶硅Poly干法刻蚀工艺下易发缺陷造成低良率问题的改善方案.该干法刻蚀工艺由于刻蚀后晶圆表面残留腐蚀性挥发气体较多,易引发晶圆产生缺陷的风险,这一现象通过刻蚀、未刻蚀硅片的混装实验得到了证实.通过研究LAM2300 E4、V2(平台型号)型大气传送机构(ATM)的风压,发现:(1)风压的差异是导致该低良率问题的主要原因;(2) E4平台的风压明显小于V2平台,是E4平台易发低良率的主要原因.调整E4平台FFU(风机过滤单元)风速设定,适当提高ATM风压有效改善了E4平台机台因缺陷易发而造成的低良率问题.

作者信息

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1	刘东升		1	0	0.0	0.0