在片高低温S参数TRL校准件的研制

• 作者: 何健 刘晨 孙静 魏碧华
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: S参数 在片测量 校准 晶体管电阻逻辑 校准件
• 年，卷（期）: 2017,（z1）
• 所属期刊栏目: 计量与测试技术
• 页码范围: 78-82
• 页数: 5页
• 分类号: TM931
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2017.S1.015

摘要

为了经济有效地提高在片高低温S参数试验系统的准确度,设计制作了在片高低温TRL校准件.首先,总结了目前常用的3种在片高低温S参数校准方法的具体做法和不足;其次,介绍了TRL校准件的设计和定义的方法;然后,阐述了校准件的使用方法;最后,通过相关试验,对该校准件的校准效果进行了验证,结果表明,该方法的测量效果较为理想,具有一定的推广使用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晨	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	21	3.0	3.0
2	孙静	中国电子科技集团公司第十三研究所	15	20	3.0	4.0
3	魏碧华	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	14	2.0	3.0
4	何健		1	0	0.0	0.0