TiO2缺陷结构电子性质的第一性原理计算

• 作者: 周虹君
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 第一性原理 TiO2 能带结构 态密度
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 774-778
• 页数: 5页
• 分类号: O65
• 字数: 2429字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2017.04.030

摘要

本文采用第一性原理研究了O空位缺陷、Ti空位缺陷TiO2的能带结构、总态密度、吸收谱.通过研究发现:与TiO2超胞结构的能带相比, O空位缺陷体系的价带与导带能量均向低能区域移动, 费米能级与导带底交错, 呈现出n型半导体, Ti空位缺陷的TiO2的费米能级与价带顶部的能级交错, 为p型半导体材料.对于O空位缺陷TiO2总态密度与分波态密度在低能区的态密度则主要由O的3s、3p轨道贡献的能量, 而在费米能附近的态密度则主要由Ti的4d轨道贡献能量;Ti空位缺陷的态密度总态密度仍然由O的3s、 3p和Ti的4d轨道贡献的能量;同时分析吸收光谱发现峰值下移较多的是钛缺陷体系, 其原因在于Ti 缺陷结构中未成键电子的相互作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周虹君	重庆文理学院物理系	17	16	3.0	3.0