基于MOSFET的纳秒级全固态脉冲源设计

• 作者: 吴红光 李洪涛 李玺钦 栾崇彪 肖金水 谢敏 马成刚
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 纳秒级前沿 半导体固态开关 全固态 Marx发生器
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 82-86
• 页数: 5页
• 分类号: TM832
• 字数: 2440字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201729.160475

摘要

采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源.设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串联组成,开关通断控制采用脉冲隔离变压器同步驱动方式.在重复频率1 Hz～1 kHz、充电电压4 kV、负载阻抗为1 kΩ条件下,可实现输出幅度大于20kV、前沿小于10 ns且脉宽大于100 ns的高压快脉冲.通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,并给出了单次和重复频率(1 kHz)触发信号作用下全固态脉冲源输出的实验结果.