利用MOSFET产生纳秒级窄脉冲

• 作者: 张德安 李龙 林基明 郑继禹
• 来源期刊: 桂林电子工业学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 脉冲信号 MOSFET
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TN784.1
• 字数: 3082字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-808X.2003.02.002

摘要

超宽带技术因其优越的特性而成为当前的研究热点,在无线通信方面更有其不可替代的优势,二进制PPM调制的超宽带无线通信发射机是超宽带技术在无线通信方面的典型应用.针对其中的关键部分纳秒级窄脉冲的产生,设计利用MOSFET进行实现,并通过仿真和电路试验对方案加以验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林基明	桂林电子工业学院通信与信息工程系	101	581	13.0	20.0
2	郑继禹	桂林电子工业学院通信与信息工程系	55	359	12.0	17.0
3	张德安	桂林电子工业学院通信与信息工程系	13	47	4.0	6.0
4	李龙	桂林电子工业学院通信与信息工程系	11	59	5.0	7.0