纳米三氧化钨的合成及气敏性能研究

• 作者: 古丽美热·斯热依 张玉才
• 来源期刊: 化工时刊
• 关键词: 三氧化钨 半导体 气敏性能
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 科技进展
• 页码范围: 6-7,57
• 页数: 3页
• 字数: 1458字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16597/j.cnki.issn.1002-154x.2017.12.002

摘要

三氧化钨作为一种宽禁带的n型半导体,它在气敏传感和催化领域受到了广泛的关注,通过在不同温度下,以钨酸钠和盐酸为原料制得钨酸前驱体,钨酸经过水热反应得到纳米WO3化合物,对产物进行X射线衍射(XRD)表征,制得的纳米WO3为六方晶型,且结晶度较高.在不同浓度乙醇和丙酮的情况下,制备的产物均具有一定的响应性,在0.5 g硫脲作助剂下,40℃下制得的钨酸经水热反应后的产物具有最优的气敏性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉才	喀什大学化学与环境科学学院	22	12	3.0	3.0
2	古丽美热·斯热依	喀什大学化学与环境科学学院	3	4	1.0	2.0