基于Al2O3中间层的InP/SOI晶片键合技术研究

• 作者: 孙长征 宫可玮 熊兵
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 晶片键合 等离子表面处理 键合中间层
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 810-812,817
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.06.009

摘要

研究了基于Al2O3中间层的InP/SOI晶片键合技术.该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al2O3作为InP/SOI键合中间层,同时采用氧等离子体工艺对晶片表面进行活化处理.原子力显微镜和接触角测试结果表明,氧等离子体处理使得晶片的表面特性更适于实现键合.透射电子显微镜和X射线能谱仪测试结果证实,采用Al2O3中间层可以实现InP晶片与SOI晶片的可靠键合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙长征	清华大学信息科学与技术国家实验室	22	73	3.0	8.0
2	熊兵	清华大学信息科学与技术国家实验室	18	13	2.0	2.0
3	宫可玮	清华大学信息科学与技术国家实验室	2	0	0.0	0.0